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等离子体增强化学气相沉积设备招标公告
日期:2026-01-19 收藏项目
1. 招标范围

1.1 货物名称:等离子体增强化学气相沉积设备

1.2 招标编号:0779

1.3 项目概况

设备通过感应耦合等离子体方式(ICP)产生高密度等离子体,在硅及化合物半导体等衬底上沉积高质量的介质薄膜(例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx、氮氧硅SiOxNy等)。

设备主要指标:

(1)样品尺寸:最大6英寸直径晶圆、向下兼容更小的晶圆片或不规则碎片,不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔室的开腔破真空;

(2)反应腔室本底真空≤ 1E-6 mbar,真空漏率≤ 2E-4 mbar·L/s;

(3)温度控制:采用背氦传热的动态温度控制系统,温度控制范围不小于 +30℃~+300℃,温度控制精度≤±1℃。

更多技术指标详见第八章。

1.4 数量:1套。

1.5 交货期:合同签订生效后8个月内到达用户现场。

1.6 项目现场:中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所指定地点。

2. 对投标人的资格要求

2.1 投标人必须是响应招标的法人或其他组织,具有独立承担民事责任能力。

2.2本次招标接受代理商投标,代理商必须获得制造商的合法授权,提供制造商授权书。授权书包括制造商直接开具的;或制造商的独资公司开具的(同时须提供制造商与独资子公司的关系说明,并由双方签字或者盖章)。

2.3投标人所投标设备2023年1月1日至今同品牌同型号的销售量≥3套,提供设备销售业绩证明(提供有效合同首页,技术协议及验收报告等证明材料,证明材料需有双方盖章)

2.4本项目不接受联合体投标。

3. 招标文件获取

3.1凡有意参加投标者,请于2026年1月19日至2026年1月27日17时(北京时间)下载招标文件,现场不予受理。

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