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武汉光迅科技股份有限公司2026年第3批采购项目招标公告
日期:2026-01-15 收藏项目
1.项目概况及招标范围

1.1项目名称:武汉光迅科技股份有限公司2026年第3批采购项目

1.2项目编号: HBCZ-2            

1.3招标内容及范围:

序号

招标内容

数量

(单位:台/套)

交货期 

质保要求

1

离子束刻蚀机(IBE)

1

12月

1年

① 招标内容及要求详见第五章采购需求;

② 交货地点:湖北武汉用户指定地点        

③ 付款方式:境外货物外币支付:30天远期LC(80%见运单支付+20%凭验收报告支付)。

境内货物人民币支付:货到验收合格后支付90%货款,验收合格稳定运行180天支付10%。     

2.投标人资格要求

2.1 投标人须具备    

① 符合本招标文件规定资质要求的制造商、代理商均可参加投标。     

② 投标人必须具有履行合同所必需的财务、技术或生产能力。

③ 投标人应具有生产或销售招标货物的历史和业绩,制造厂商应具有制造该类设备的技术和经验,所投设备为全新非试制品,要求提供一个用户的产品稳定运行不少于两年的证明材料,证明资料包含但不限于供货清单、供货合同或验收报告、及客户联系方式。代理商或制造商在国内无任何不良记录。

④ 投标人不得与招标人和招标代理机构有任何的隶属关系或者其他利害关系。

⑤ 所有资格证明文件必须真实可靠、不得伪造。复印件必须加盖单位公章。

⑥ 若招标货物有生产许可证要求的,制造商必须取得该货物的生产许可证。


2.2其他资格要求:

①投标人需提供LiNbO3 材料刻蚀相关实验资料,与招标人一起进行打样,由招标人出具打样结果的测试报告,报告中四项测试内容必须全部测试通过。投标人需将此报告完整的放入投标文件,如投标文件中无此测试报告,其投标文件将被否决。

打样要求:

1.衬底:6"lnoi晶圆 招标人提供

2.掩膜:DUV PR

3.刻蚀深度:100~300nm

②测试内容如下,必须全部为测试通过:

1. 6”范围内刻蚀均匀性<3%

2. 最小线宽<100±5nm;

3. 侧壁粗糙度<1nm;

4. 波导传输损耗<0.2dB/cm (微环谐振腔)

2.3 本次招标 不接受联合体。

①联合体参加招标活动的,应递交联合体协议书,并满足本条第2.1 款、2.2款规定的要求;

②联合体各方不得再以自己名义单独或参加其他联合体参与本招标项目,否则相关投标文件均无效;

③其他: 若发现中标人提供虚假材料应标,将被拉入采购黑名单,同时招标人有权单方解除合同、没收投标保证金,并要求中标人赔偿因此给招标人造成的一切直接损失和间接损失(包括预期可得利益损失)。 

3.招标文件的获取

3.1 文件获取开始时间: 2026 年01月15日8时30分(北京时间)

文件获取截止时间: 2026年02月03日16时30分(北京时间)

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