一、项目信息采购人：某实验室项目名称：某实验室光通信探测器采购项目拟采购的货物或服务的说明：一批光通信探测器拟采购的货物或服务的预算金额：********.00人民币采用单一来源采购方式的原因及说明：本次采购的光通信探测器用于实现激光通信高速度、高灵敏度探测，主要技术要求： 1、暗电流、Id、VCC=******** ,VAPD=VBR-3V，无光, TEC控温在25℃±1℃ Tamb=0℃ 2、响应电流 Re、VCC=******** ,VAPD为增益M=1，λ=1064nm，Pin=10μW， TEC控温在25℃±1℃ 3、APD增益 M VCC=******** , VAPD=VBR-3V，λ=1064nm，Pin=10μW 4、击穿电压 VBR VCC=******** ，IR=10μA，无光,TEC控温在25℃±1℃ 30V 70V 5、TIA工作电流 ICC VCC=******** , TEC控温在25℃±1℃ 10mA 30mA 6、TEC交流阻抗 RT / ********Ω ********Ω 7、灵敏度 Ps VCC=******** ,VAPD=VBR-3V，λ=1064nm，PRBS=223-1，BER=1E-6@155Mbps，ER=10dB，TEC控温在25℃±1℃ VCC=******** ,VAPD=VBR-3V，λ=1064nm，PRBS=223-1，BER=********，ER=10dB，TEC控温在25℃±1℃ 该批光通信探测器还需满足最大额定值要求，具体如下： 1) 工作温度：0℃ ~+50℃ 2) TIA工作电压（VCC）：+******** V  3) APD偏置电压（VAPD）：********, VBR表示APD芯片的击穿电压@22℃±3℃  4) TEC最大电压：+********； 5) TEC最大电流：********； 6) 光功率损伤阈值（ФeM）：-10dBm  7) 随机振动总均方根：********   8) 冲击力学：700g   9) 质子辐射：注量2×1011P(10MeV)/cm2，VADP=VBR-3V，移地测试 10) 稳态总剂量辐射：总剂量100 krad(Si),剂量率********/s  11) 抗单粒子闩锁：LET≥75MeV•cm2/mg，VCC=********等。本次采购的光通信探测器，指标要求高，中国电****公司第四十四研究所###市面上仅有可以提供满足性能指标要求，同时具有丰富航天产品****公司，故申请单一来源采购。二、拟定供应商信息名称：中国电****公司第四十四研究所地址：重庆南岸区###路14号

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