1.1 采购项目名称
中国原子能科学研究院SiCMOSFET半导体器件性能测试
1.2 采购单位
中国原子能科学研究院
1.3 采购代理机构（如有）
/
1.4 采购项目资金落实情况
已落实
1.5 采购项目概况
采购4组SiC MOSFET测试电路板，2组SiC MOSFET开关矩阵，辐照实验前后SiC MOSFET器件的性能测试服务，包括IV、CV、FIB、SEM以及DLTS测试分析，测试数据共包含53条；同时提供产品数据表、合格证及装箱单；详见《SiC MOSFET半导体器件性能测试技术规格书》
1.6 成交供应商数量及份额
?7?1 1 家、 100% 。
2 采购范围及相关要求
2.1 采购范围
(1)SiC MOSFET测试电路板，4组
测试板面积约40 cm*40 cm，测试板厚度不小于1.6 mm，电路线内包；损耗要小，适用于指定封装（TO-247）的SiC MOSFET高功率半导体器件的上电、测试等功能，可施加电压电流满足1200 V以上、1 μA精度；至少可同时实现至少9只器件的上电、测试等功能，并能保证功率器件的散热等特性。具体的设计参数需根据具体需求商定。
(2)SiC MOSFET开关矩阵，2组
基于2台或3台单通道测试源表、一台工控机，可控制至少9只SiC MOSFET高功率半导体器件的开关；可通过中间交换机及上位机远程控制正常使用；单次实现1-3枚器件的栅源两端、漏源两端的电学性能测试等功能。具体的设计参数需根据具体需求商定。
(3)转移特性曲线（Transfer characteristic curves）分析: 20枚
测试环境为室温条件下，SiC MOSFET功率器件的栅极源极电压覆盖0V-10 V区间，测试电流峰值大于10 A；电压增加分辨率（测试步长）好于200 mV；电流分辨率好于200 mA、每个测试电压点测试时间tp≤200 ?0?8s的伏安特性曲线，提供对应的电压-电流数据，并出具测试分析报告。
（4）传输特性曲线（Output characteristic curves）分析: 20枚
测试环境为室温条件下，SiC MOSFET的漏极源极电压覆盖0V-10 V区间、源极漏极电压为6V、8V、10V、12V、14V、16V，电压增加分辨率（测试步长）小于200 mV、电流分辨率好于200 mA、每个测试电压点测试时间tp≤200 ?0?8s的伏安特性曲线，提供对应的电压-电流数据，并出具测试分析报告。
（5）电容-电压（CV）测试分析: 20枚
测试环境为室温条件下，SiC MOSFET功率器件的漏极源极电压0-1000 V区间的典型电容值，测试频率1 MHz，栅极源极电压0V，提供对应的电容（Coss、Ciss、Crss）-电压测试数据，并出具测试分析报告。
（6）器件表面形貌观测:20枚
对辐照前后的SiC MOSFET功率器件进行扫描电子显微镜SEM测试，观测器件表面，给出器件相应的表面形貌、表面成分分布信息，分析不同辐照条件对器件表面结构的影响。
（7）器件结构及成分分析：2枚
采用FIB精准切割+高分辨冷场发射扫描电镜拍照相结合的方式，在FIB观测模式下精确找到SiC MOSFET器件的关键区域，进行离子束切割，获得特征剖面6处。将切割后的样品通过高分辨冷场发射扫描电镜进行观测，分别获取从250×到300k×的图像不少于6张。同时，借助EDS能谱仪，分析样品剖面的元素分布。
（8）深能级瞬态谱特性分析（DLTS）: 10枚
测试温度范围须覆盖100 K-500 K区间的SiC MOSFET功率器件的深能级瞬态谱曲线，提供对应测试数据结果并出具测试分析报告。同时，提供相应电容-电压曲线或者电流-电压曲线的测试数据结果，并出具测试分析报告。
|
序号 |
器件类型 |
参数 |
数量 |
|
1 |
SiC MOSFET测试电路板 |
见[2.1·(1)] |
4组 |
|
2 |
SiC MOSFET开关矩阵 |
见[2.1·(2)] |
2组 |
|
3 |
正向伏安（IV）特性分析 |
见[2.1·(3)] |
20枚 |
|
4 |
反向伏安（IV）特性分析 |
见2.1·(4)] |
20枚 |
|
5 |
电容-电压（CV）测试分析 |
见[2.1·(5)] |
20枚 |
|
6 |
器件表面形貌观测 |
见[2.1·(6)] |
20枚 |
|
7 |
器件结构及成分分析 |
见[2.1·(7)] |
2枚 |
|
8 |
深能级瞬态谱特性分析（DLTS） |
见[2.1·(8)] |
10枚 |
|
合计 |
98 |
||
详见《SiC MOSFET半导体器件性能测试技术规格书》
2.2 服务期限
合同签订后6个月内完成。
2.3 服务地点
中国原子能科学研究院
2.4 质量要求或服务标准
满足采购文件技术规格书要求，并经采购人履约验收合格
3 供应商资格要求
3.1 供应商应依法设立且具备承担本采购项目的资质条件、能力和信誉：
（1）资质要求：本次采购要求供应商具有独立承担民事责任能力的在中华人民共和国境内注册的法人或其他组织，具备有效的营业执照或事业单位法人证书或其它营业登记证书。
（2）财务要求： /
（3）业绩要求： /
（4）信誉要求：在最近三年内未发生重大产品质量问题(以相关行业主管部门的行政处罚决定或司法机关出具的有关法律文书为准)；未被工商行政管理机关在全国企业信用信息公示系统(htlp:/hvwwgsxt.gov.cn)中列入严重违法失信企业名单；未在“信用中国”网站或各级信用信息共享平台中列入失信被执行人名单；在最近三年内投标人或其法定代表人、拟委任的项目负责人无行贿犯罪行为；未被中核集团及院纳入黑名单、灰名单等(不包含已释放的)；不存在核安全监管“两个零容忍”情形，被核安全监管部门明确停工处罚的，或即将面临停工处罚的。
（5）承担本项目的主要人员要求： /
（6）其他要求： /
3.2 供应商不得存在下列情形之一：
（1）不同供应商之间的单位负责人为同一人，或者存在控股、管理关系；
（2）处于被责令停产停业、暂扣或者吊销执照、暂扣或者吊销许可证、吊销资质证书状态；
（3）被政府有关部门取消招标项目所在地行业内的投标资格且处于有效期内的；
（4）进入清算程序，或被宣告破产，或其他丧失履约能力的情形；
3.3 本次采购 不接受 联合体应答。
4 询比采购文件的获取
4.1 发售时间
北京时间：2025 年 9 月 10 日 18 ：10— 2025年 9 月 15 日00：00
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联系人：程姣
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