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深圳技术大学PECVD和磁控溅射系统意向
日期:2025-07-21 收藏项目
寸:≥210mm*210mm,≥1片;********极限真空度:≤1Pa;恢复真空时间:大气压到*********103mbar≤5分钟;漏率:≤5*10?Pa·L/********长期使用温度范围:150-250℃;温度均匀性:≤±5℃;********等离子体辉光稳定时间:≤********;反射功率稳定时间:≤********膜厚均匀性:玻璃衬底沉积100nm厚度测定,Si薄膜,片内≤5%、片间≤10%、批间≤5%,边...

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