半导体器件所需的栅氧层，包括Al2O3、AlN、HfO2等。设备###路前驱体源###路液###路加###路臭###路有毒或易燃气体源；配置2套反应腔；支持最大晶圆尺寸8英寸；栅氧层沉积最小厚度≤2nm；等离子发生器功率≥300W；反应室最高工艺温度≥500°C。联系人:简老师联系电话:***-*******预计采购时间:2025-05备...
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