：名称：SOI硅片；数量：875片；需求概况：FDSOI是全耗尽型绝缘衬底上硅技术，在体硅中引入了超薄的埋氧（BOX）层作为绝缘层，具有功耗低、速度快、抗辐射、可靠性高的特点，工艺步骤简单，生产周期短。相比主流FinFET技术，SOI技术工艺简单，相同功耗下具有更高的性能，在低功耗、高速度和高集成度上性能更优。为顺..
本招标项目仅供 正式会员查阅，您的权限不能浏览详细信息,请点击注册/登录，请联系工作人员办理入网升级。
联系人：方婷
电话：010-53341173
手机：13011091135 (欢迎拨打手机/微信同号)
邮箱：fangting@zbytb.com
下载招标公告:SOI硅片招标公告.pdf
