崩边≤3μm的钻孔质量和≥1/50的深宽比；该项目设备需实现对玻璃等材料表面进行微刻蚀和除胶的功能，该设备真空能力要求高，需兼容多种###路数###路；该项目设备需实现对芯片的金属键合，要求能够兼容6吋、8吋和12吋晶圆，对温度控制精确度要求达到≤±5℃，并具备安全防护功能。该项目所有设备要求质保期至...
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