一、使用主流 p 型栅 GaN-on-Si 工艺平台的 GaN IC 技术开发流片，要求工艺平台：1. 具备两层互联金属工艺（M1+M2）；2. 最小工艺线宽 ********；3. 使用 p-GaN 栅增强型器件技术；4. 可以单片集成 650V E-mode、12V E/D-mode、二维电子气电阻以及 MIM 电容等元器件。二、可以获取代工厂提供的设计文档（design mannual），基于 process rule 设计测试图形。
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