射镀膜设备，能够实现8英寸基底的薄膜沉积，能制备厚度差异在±5%（8英寸）的硫系化合物、氧化物，Au，Ag，Ti，SiO2等材料的薄膜沉积。配备至少1个直流和1个射频电源，可以实现2个靶位的共溅射沉积。具有氩等离子体轰击，实现轻微刻蚀。实验室科研加工半导体材料应用，主要用于硫系化合物，氧化铟锡，Au，Ag，Ti，SiO2等材..

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