C样品TEM试样精密加工，获得可开展透射电镜分析检查的标准试样；③根据试样的TEM结果优化试样制备工艺参数。主要技术参数：1）制备出高纯SiC试样块体尺寸不小于10mm×10mm×********；纯度至少为99%；其中高纯α和β单相SiC样品的相纯度≥90%。2）FIB制备的TEM试样的面积≥20[μm]^2，薄区厚度≤100nm；离子减薄制备的TEM试样的...
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