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6英寸碳化硅多层外延片(第二次)谈判公告
日期:2024-03-07 收藏项目
一、采购项目基本情况
1.采购编号:XHT
2.采购项目名称:6英寸碳化硅多层外延片(第二次)
二、资金情况
资金来源:财政性资金
三、采购项目简介:
1.项目拟采购6英寸碳化硅多层外延片11片。主要采购信息详见下表。
序号 器材名称 数量 单位 技术指标
1 6英寸碳化硅多层外延片 4 规格1:
epi6:P-type,≥4E19cm-3,0.5μm(+/-25%);
epi5:P-type,≥2E19cm-3,1.5μm(+/-25%);epi4:N-type,7E16cm-3(+/-25%),2.0μm(+/-25%);epi3:P-type,1~4E14cm-3,120μm(+/-10%);epi2:P-type,1E17cm-3(+/-25%),2.0μm(+/-25%);epi1:N-type,1E18cm-3(+/-25%),2.0μm(+/-25%);
6-inch 4H-SiC N+ Substrate;
指标要求:1、衬底:resistivity=0.015~0.028ohm-cm,MPD<0.1cm-2,BPD<600cm-3,WARP<30um,TTV<10um,LTV<3um;
2 6英寸碳化硅多层外延片 3 规格2:
epi6:P-type,≥4E19cm-3,0.5μm(+/-25%);
epi5:P-type,≥2E19cm-3,1.5μm(+/-25%);epi4:N-type,7E16cm-3(+/-25%),2.0μm(+/-25%);epi3:P-type,1~4E14cm-3,90μm(+/-10%);epi2:P-type,1E17cm-3(+/-25%),2.0μm(+/-25%);epi1:N-type,1E18cm-3(+/-25%),2.0μm(+/-25%);
6-inch 4H-SiC N+ Substrate;
指标要求:1、衬底:resistivity=0.015~0.028ohm-cm,MPD<0.1cm-2,BPD<600cm-3,WARP<30um,TTV<10um,LTV<3um;
3 6英寸碳化硅多层外延片 4 规格3:
epi2:N-type,5E14cm-3(+/-50%),100μm(+/-10%);epi1:N-type,5E18cm-3(+/-25%),2.0μm(+/-25%);
6-inch 4H-SiC N+ Substrate;
指标要求:1、衬底:resistivity=0.015~0.028ohm-cm,MPD<0.1cm-2,BPD<600cm-3,WARP<30um,TTV<10um,LTV<3um;
(具体要求详见谈判文件第四章)。
2.本项目采购预算96.5万元。最高限价为96.5万元(其中规格1分项最高限价50万元,规格2分项最高限价34.5万元,规格3分项最高限价12万元)。
3.交 付 期:合同签订生效之日起3个月内完成产品交付。
4.交付地点:四川省成都市双流区银河596号微太中心。
四、供应商邀请方式
(请登录)公告期限为3个工作日。

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