低维材料生长，3个生长腔体通过UFO互联，Loadlock进样，配预处理室，生长室1为磷化物生长系统，生长室2&3需可扩展能力。设备整体指标需满足：3个生长室均具有3寸样品制备能力；双层水冷，高真空度，本底真空优于********；生长室具有多至8个源炉接口高均匀性极坐标控制加热能力，可至1000℃自动控制系统等。预计采购.
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