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深圳大学高真空电子束蒸发薄膜制备设备意向
日期:2024-01-26 收藏项目
备,主要组件与参数如下:6kW电子束源,含6坩埚靶位,带电子束束斑扫描控制器;主工艺腔高度≥800mm,带全量程真空计,真空系统采用前级干泵涡轮分子泵配置,极限真空≤********×10-8Torr;石英晶振膜厚计和控制器,镀率厚度分辨率≤********?/s;4英寸旋转样品台,带循环水冷;配备Load-lock进样仓,满足4英寸样品进样,带全量程.

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