| 公告内容 | |
| 竞争性谈判内容 | 采购物项为高纯SiC TEM试样精密加工工艺测试，采购物项属于服务类型。包括①高纯SiC试样制备，获得高纯度α和β结构SiC材料；②用聚焦离子束扫描电镜（FIB）和离子减薄两种技术分别进行SiC样品TEM试样精密加工，获得可开展透射电镜分析检查的标准试样；③根据试样的TEM结果优化试样制备工艺参数。 主要技术参数：1）制备出高纯SiC试样块体尺寸不小于10mm×10mm×0.3mm；纯度至少为99%；其中高纯α和β单相SiC样品的相纯度≥90%。2）FIB制备的TEM试样的面积≥20[μm]^2，薄区厚度≤100nm；离子减薄制备的TEM试样的面积≥15[μm]^2，薄区厚度≤100nm；TEM试样制备成功率≥70%；3）研究工艺参数对高纯SiC TEM试样影响规律，确定最佳的制备工艺参数。 供货周期为3个月 |
| 响应单位资格要求 | 1、具有α和β相结构的高纯SiC试样制备能力,需提供相关佐证材料，如论文、专利、合同或能力说明等。 2、具备完成高纯SiC TEM试样性能测试和优化工艺的技术能力,需提供相关佐证材料，如论文、专利、合同或能力说明等。 3、财务要求：投标人为企业单位的提供近3年（2020年至2022年）经会计师事务所或审计机构审计的财务会计报表，其中至少一年无亏损。成立不足3年的提供成立以来的经审计的财务会计报表。成立不足一年的应提供成立以来的财务会计报表。投标人为科研院所、高等院校等事业单位的可以不提供。上述财务会计报表至少应包括审计报告正文（审计报告必须由会计师事务所盖章、注册会计师签名和盖章，未经签字盖章的审计报告视为无效审计报告，投标将被否决）、资产负债表、现金流量表、利润表的复印件，缺一不可。 |
| 竞争性谈判文件发放时间 | 2024-1-19 |
| 竞争性谈判文件发放地点 | (请登录) |
| 竞争性谈判文件发放方式 | (请登录) |
| 竞争性谈判文件售价 | 无 |
| 对接（踏勘、答疑）时间 | 不安排踏勘与集中答疑 |
| 对接（踏勘、答疑）地点 | 无 |
| 谈判时间 | 2024-1-31 |
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联系人：张培
电话：010-53658120
手机：13718359801 (欢迎拨打手机/微信同号)
邮箱：zhangpei@zbytb.com
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