建设内容 项目占地280亩，新增占地280亩，总建筑面积23万平方米，打造半导体芯片硅片制备、氧化、光刻、测试等智能制造产业园区，规划建设8栋三层12英寸晶圆制造车间，面积10万平方米，6栋三层封装测试车间，建设5条先进封装测试线，面积8万平方米，1栋半导体集成电路研发中心，面积1万平方米，洁净室5千平方米，动力设施区变电站、污水处理站、冷却塔、消防等配套工程5千平方米，智能立体仓库面积3万平方

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