建设内容 拟建设生产厂房及配套用房面积约2万平方米，项目建设两类生产线：1、项目建设碳化硅半导体零部件产品（刻蚀环、静电吸盘、AR镜片基材）产线，采用物理气相沉积工艺，完成核心零部件产品沉积工序，中段工序切磨抛、退火等工艺采用外协。2、碳化硅半导体配套设备器件产线，包括设备器件生成。 项目简介            本项目位于四川省

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