建设内容 主要产品     建筑面积约85171㎡，新建第三代半导体碳化硅衬底产业化基地，新建满足400台单晶生长炉生长.加工.清洗和检测的厂房1座并建立配套的动力站.科研楼等配套用房 项目简介        本项目位于北京市大兴区新城东南片0605-022c地块，由北京天科合达半导体股份有限公司投资建

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